（E）在相应的肽基表位包被的AuNPs溶液中添加200nM单克隆抗体后，补贴每隔10分钟记录一次紫外-可见光谱，表明存在大量聚集。

规则广方光（d）单层晶体的高分辨率AFM图像。大变（c）左图：典型单层晶体的TEM图像。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，化燃投稿邮箱：[email protected]投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。然而，料电由于有机溶液在水面上的扩散难以控制，以及有机分子间弱的分子间相互作用，大面积制备厘米级以上的单层有机晶体仍然是一个巨大的挑战。池推（e-f）晶体晶格常数（a和b轴）的直方图。

案曝（f）C10-BTBT单层晶体的晶体尺寸和迁移率与前期相关报道的对比。补贴（d）在GQDs溶液的不同pH值下C10-BTBT的相应分子堆积行为。

规则广方光右：1-4位置对应的SAED模式。

图五、大变高性能的OFETs制备（a）基于单层C10-BTBT晶体的OFET的器件结构示意图。化燃d）顺序形状转换和形状锁定。

还讨论了形状恢复后强度恢复的物理和化学机理，料电以及影响自我修复过程的其他物理因素。在第三部分中，池推分析了恢复永久形状时所利用的热、溶剂、光、电、磁、pH等不同的触发因素的影响，以及它们在生物医学领域的各自应用。

案曝i）具有三个步骤和输出的顺序逻辑电路的磁控制。在第四部分，补贴讨论了新型的、可逆的形状记忆聚合物。